Building Filters
Pekín, China
Multi-Wavelength Macro Channel Diode Laser Array
Longitud de onda central λc（nm）: 755/808/940/1064 | Tolerancia de longitud de onda δλc（nm）: ±15 | Potencia de salida（w）: 250 ~ 1600 | Número de barras: 5 ~ 16 | Espaciado de barra a barra（mm）: 2.1 ~ 3.81 | Tamaño...
Pekín, China
RealStable® GS07 Conduction-cooled Diode Laser Array
- Fabricante: Beijing RealLight Technology
Longitud de onda central λc (nm): 796~808 | Tolerancia de longitud de onda δλc (nm): ±3 | Potencia de salida por barra (w): 180 | Número de barras: 1~15 | Pitch barra a barra (mm): ~0.4 | Ancho espectral width (f...
Pekín, China
RealStable® GS06 Conduction-cooled Diode Laser Array
- Fabricante: Beijing RealLight Technology
Longitud de onda central λc (nm): 796~808 | Tolerancia de longitud de onda δλc (nm): ±5 | Potencia de salida por barra (w): 200 | Número de barras: 9 | Pitch barra a barra (mm): 0.6 | Ancho espectral width (fwhm)...
Pekín, China
WV12 808nm-1800W Macro Channel Diode Laser Array
Longitud de onda central λc（nm）: 808 | Tolerancia de longitud de onda δλc（nm）: ±15 | Potencia de salida（w）: 1800 | Número de barras: 18 | Espaciado de barra a barra（mm）: 1.86 | Tamaño de punto（mm）: 10 X 31.62 | Á...
Pekín, China
WV13 808nm-2400W Macro Channel Diode Laser Array
Longitud de onda central λc（nm）: 808 | Tolerancia de longitud de onda δλc（nm）: ±15 | Potencia de salida（w）: 2400 | Número de barras: 24 | Espaciado de barra a barra（mm）: 2.18 | Tamaño de punto（mm）: 22 X 24 | Ángu...
Pekín, China
WV11 808nm-1200W Macro Channel Diode Laser Array
Longitud de onda central λc（nm）: 808 | Tolerancia de longitud de onda δλc（nm）: ±15 | Potencia de salida（w）: 1200 | Número de barras: 12 | Espaciado de barra a barra（mm）: 3.15 | Tamaño de punto（mm）: 10 X 34.7 | Án...
Pekín, China
WV10 808nm-600W Macro Channel Diode Laser Array
Longitud de onda central λc（nm）: 808 | Tolerancia de longitud de onda δλc（nm）: ±15 | Potencia de salida（w）: 600 | Número de barras: 12 | Espaciado de barra a barra（mm）: 2.18 | Tamaño de punto（mm）: 10 X 24.00 | Án...
Pekín, China
RealStable® AA-4 Series Conduction-cooled Diode Laser Array
Longitud de onda central λc (nm): 790~812 | Tolerancia de longitud de onda δλc (nm): ±3 | Potencia de salida por barra (w): 100 | Número de barras por pila: 9 | Pitch barra a barra (mm): 0.43 | Área de emisión (m...
Pekín, China
RealStable® GS15 Conduction-cooled Vertical Stacked Diode Laser Array
- Fabricante: Beijing RealLight Technology
Longitud de onda central λc (nm): 940 | Tolerancia de longitud de onda δλc (nm): ±5 | Potencia de salida por barra (w): 100 | Número de barras: 1~2 | Longitud de la barra (mm): 10 | Pitch barra a barra (mm): 0.8 ...
Pekín, China
RealStable® GS16 Conduction-cooled Vertical Stacked Diode Laser Array
Longitud de onda central λc (nm): 940 | Tolerancia de longitud de onda δλc (nm): ±5 | Potencia de salida por barra (w): 100 | Número de barras: 1~2 | Longitud de la barra (mm): 10 | Pitch barra a barra (mm): 0.8 ...
Pekín, China
RealStable® AA-3 Series Conduction-cooled Diode Laser Array
- Fabricante: Beijing RealLight Technology
Longitud de onda central λc (nm): 790~812 | Tolerancia de longitud de onda δλc (nm): ±3 | Potencia de salida por barra (w): 100 | Número de barras por pila: 8 | Pitch barra a barra (mm): 0.43 | Área de emisión (m...
Pekín, China
WV01 808nm-1200W FAC Macro Channel Diode Laser Array
Center wavelength λc（nm）: 808 | Wavelength tolerance δλc（nm）: ±15 | Output power（w）: 1200 | Number of bars: 12 | Bar-to-bar pitch（mm）: 2.18 | Spot size（mm）: 10 X 24.00 | Fast axis full divergence angle（fwhm）（°）: ...
Pekín, China
RealStable® GS11 Conduction-cooled Vertical Stacked Diode Laser Array
Longitud de onda central λc (nm): 808 | Tolerancia de longitud de onda δλc (nm): ±10 | Potencia de salida por barra (w): 120 | Número de barras: 4 | Pitch barra a barra (mm): 1.65 | Ancho espectral width (fwhm) (...
Pekín, China
RealStable® AA-2 Series Conduction-cooled Diode Laser Array
- Fabricante: Beijing RealLight Technology
Longitud de onda central λc (nm): 790~812 | Tolerancia de longitud de onda δλc (nm): ±3 | Potencia de salida por barra (w): 100 | Número de barras por pila: 8 | Pitch barra a barra (mm): 0.43 | Área de emisión (m...
Pekín, China