RealStable® GS07 Conduction-cooled Diode Laser Array en Pekín, China
Nuevo
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Especificaciones
- Condición
- nuevo
- Número de stock
- Rxxx±3-Qxxxx-GS07-5*15
- Longitud de onda central λc (nm)
- 796~808
- Tolerancia de longitud de onda δλc (nm)
- ±3
- Potencia de salida por barra (w)
- 180
- Número de barras
- 1~15
- Pitch barra a barra (mm)
- ~0.4
- Ancho espectral width (fwhm) (nm)
- ≤5
- Rendimiento de pendiente por bar (w/a)
- >1.0
- Ángulo de divergencia del eje rápido (fwhm) (tip., °)
- 40
- Ángulo de divergencia del eje lento (fwhm) (tip.,°)
- 12
- Coeficiente de temperatura de la longitud de onda (nm/℃)
- ~0.3
- Eficiencia de conversión eo (%)
- >50
- Corriente umbral ith (a)
- <20
- Corriente de operación iop (a)
- ≤170
- Voltaje de operación vop de cada barra (v)
- <2.1
- Ciclo de trabajo (%)
- <0.8
- Ancho de pulso (μs)
- <300
- Frecuencia de repetición (hz)
- <30
- Temperatura de operación (℃)
- -40~75
- Temperatura de almacenamiento (℃)
- -45~80
- Categoría
- Equipos de semiconductores en China
- Subcategoría
- Machinery
- Subcategoría 2
- Diode laser stack
- ID de Anuncio
- 94715976
Descripción
Notes：
1. For different specifications, please contact sales manager.
2. Do not operate it beyond normal operating conditions, otherwise, the service life of the device might be shortened.
3. Operating and storage environment must be free of dew.
4. The above parameters are measured under QCW mode with pulse width of 300μs and repetition rate of 20Hz at 25℃.
5.All the data in the above table are the typical values obtained from the tests at room temperature of 25℃, and the final data is subject to the final test report.