RealStable® GS11 Conduction-cooled Vertical Stacked Diode Laser Array en Pekín, China

Especificaciones

Condición
nuevo
Número de stock
R808±10-Q480-GS11-10*4
Longitud de onda central λc (nm)
808
Tolerancia de longitud de onda δλc (nm)
±10
Potencia de salida por barra (w)
120
Número de barras
4
Pitch barra a barra (mm)
1.65
Ancho espectral width (fwhm) (nm)
≤5
Rendimiento de pendiente por bar (w/a)
>1.1
Ángulo de divergencia del eje rápido (fwhm) (tip., °)
40
Ángulo de divergencia del eje lento (fwhm) (tip.,°)
10
Coeficiente de temperatura de la longitud de onda (nm/℃)
~0.3
Eficiencia de conversión eo (%)
>50
Corriente umbral ith (a)
<15
Corriente de operación iop (a)
<130
Tensión de operación vop (v)
<2
Ciclo de trabajo (%)
<2
Ancho de pulso (μs)
<3000
Frecuencia de repetición (hz)
<100
Temperatura de operación (℃)
20~35
Temperatura de almacenamiento (℃)
0~55
Subcategoría
Machinery
Subcategoría 2
Diode laser stack
ID de Anuncio
94524429

Descripción

1.Wavelengths from 940nm to 960nm available upon request.
2.Wavelengths from 792nm to 818nm available upon request.
not operate it beyond normal operating conditions, otherwise, the service life of the device might be shortened.
4.Make sure that there is no condensation in operating or storage environment.
5.All the data in the above table are the typical values obtained from the tests at room temperature of 25℃, and the final data is subject to the final test report.

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Fabricante
N/A
Ubicación
🇨🇳 Pekín, China

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Capacidad de respuesta del vendedor:

5.0