RealStable® GS12 Conduction-cooled Vertical Stacked Diode Laser Array en Pekín, China
Nuevo
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Especificaciones
- Condición
- nuevo
- Longitud de onda central λc (nm)
- 940
- Tolerancia de longitud de onda δλc (nm)
- ±5
- Potencia de salida por barra (w)
- 100
- Número de barras
- 1~2
- Longitud de la barra (mm)
- 10
- Pitch barra a barra (mm)
- 0.8
- Ancho espectral width (fwhm) (nm)
- ≤5
- Ángulo de divergencia del eje rápido (fwhm) (tip., °)
- 40
- Ángulo de divergencia del eje lento (fwhm) (tip.,°)
- 10
- Coeficiente de temperatura de la longitud de onda (nm/℃)
- ~0.3
- Eficiencia de conversión eo (%)
- ≥50
- Corriente umbral ith (a)
- ≤20
- Corriente de operación iop (a)
- 100
- Voltaje de operación vop de cada barra (v)
- ≤2.1
- Ciclo de trabajo (%)
- ≤3%@200W
- Ancho de pulso (μs)
- ≤3000
- Frecuencia de repetición (hz)
- 1~10
- Temperatura de operación (℃)
- -40~65
- Temperatura de almacenamiento (℃)
- -45~85
- Categoría
- Equipos de semiconductores en China
- Subcategoría
- Machinery
- Subcategoría 2
- Diode laser stack
- ID de Anuncio
- 94524428
Descripción
Notes:
1.Different wavelengths, numbers of bars, bar pitches and other specifications are available upon request.
2.All the data in the above table are the typical values obtained from the tests at room temperature of 25℃, and the final data is subject to the final test report.